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中国芯如何不再被卡脖子
2021/7/20
中国芯如何不再被卡脖子
导读：新莱洁净应用材料股份有限公司产品总监范志旻先生在中国材料大会 2021 厦门期间针对超高纯材料在半 导体制程上的应用提出专场技术报告，会中重点介绍有几大部分：
一、 半导体前制程中沉积(Deposition)及刻蚀(Etching)工艺，逻辑 IC、动态随机存取存储器 (Dynamic Random Access Memory，DRAM)、3D NAND 闪存(NAND flash memory)工艺介绍。
二、 电子特气(ESG(Electronic Speciality Gas)在薄膜制程上的应用。
三、 前驱体在化学气相沉积(CVD) 、原子层沉积(ALD)。
四、 ESG 在光刻技术上的应用。
五、 ESG 在等离子刻蚀与原子层刻蚀(ALE)的应用以支撑 5nm 以下节点技术。
六、 ESG 在离子注入的应用。
七、 超高纯 UHP(Ultra High Purity)及高纯(High Purity)材料针对不同 ESG 的选型建议。
八、 UHP 材料表面处理工艺探讨如何对应腐蚀性 ESG 应用。
九、 新莱集团 AdvanTorr 真空品牌的产品介绍。
十、 新莱集团 NanoPure 品牌 UHP 系列产品介绍。
十一、 新莱集团 NanoPure 品牌非 UHP 系列产品介绍。
十二、 成功案例应用介绍。
十三、 新莱集团整体介绍与总结。
新莱集团结合 AdvanTorr 真空品牌与 NanoPure 品牌 UHP 气体品牌，多年来为半导体设备商、晶 圆 FAB 厂及泛半导体产业提供应用材料选型与应用的保障，2021 年并参与上海实验室装备协会 P 类实验室供气系统的团体标准制订，弥补国内 UHP 超高纯应用材料品牌的空白，从代工、产品、 品牌到标准逐步实现技术实力精进，为半导体高端装备国产化的进程做贡献
文章链接：仪表网 https://www.ybzhan.cn/news/detail/93128.html
一、 半导体前制程中沉积(Deposition)及刻蚀(Etching)工艺，逻辑 IC、动态随机存取存储器 (Dynamic Random Access Memory，DRAM)、3D NAND 闪存(NAND flash memory)工艺介绍。
二、 电子特气(ESG(Electronic Speciality Gas)在薄膜制程上的应用。
三、 前驱体在化学气相沉积(CVD) 、原子层沉积(ALD)。
四、 ESG 在光刻技术上的应用。
五、 ESG 在等离子刻蚀与原子层刻蚀(ALE)的应用以支撑 5nm 以下节点技术。
六、 ESG 在离子注入的应用。
七、 超高纯 UHP(Ultra High Purity)及高纯(High Purity)材料针对不同 ESG 的选型建议。
八、 UHP 材料表面处理工艺探讨如何对应腐蚀性 ESG 应用。
九、 新莱集团 AdvanTorr 真空品牌的产品介绍。
十、 新莱集团 NanoPure 品牌 UHP 系列产品介绍。
十一、 新莱集团 NanoPure 品牌非 UHP 系列产品介绍。
十二、 成功案例应用介绍。
十三、 新莱集团整体介绍与总结。
新莱集团结合 AdvanTorr 真空品牌与 NanoPure 品牌 UHP 气体品牌，多年来为半导体设备商、晶 圆 FAB 厂及泛半导体产业提供应用材料选型与应用的保障，2021 年并参与上海实验室装备协会 P 类实验室供气系统的团体标准制订，弥补国内 UHP 超高纯应用材料品牌的空白，从代工、产品、 品牌到标准逐步实现技术实力精进，为半导体高端装备国产化的进程做贡献
文章链接：仪表网 https://www.ybzhan.cn/news/detail/93128.html
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